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Flash存储器（Flash Memory）是一种非易失性内存器件，断电后可长期保存数据。其主要分为NOR和NAND两类技术：Norflash由Intel于1988年推出，支持直接执行代码，读取速度快，适用于嵌入式系统等小容量代码存储场景；NAND Flash由dongzhi于1989年提出，存储密度高、，擦写速度快，适用于（SSD）、U盘等大容量数据存储领域.

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冉半导体（Puya）作为中国的芯片供应商，专注于低功耗、高性的SPI NOR Flash和IC EEPROM芯片的研发与制造。其产品采用的SONOS和ETOX双工艺架构，覆盖从512Kbit到128Mbit的容量范围，支持1.65V-3.6V的操作电压，具备低功耗、快速擦除与读取等性能优势，并通过AEC-Q100车规认证，适用于汽车电子等高性场景。凭借多样化的封装形式和表现，普冉的NOR Flash广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制和5G基站等领域，满足不同客户的需求。在NOR Flash市场中，普冉半导体近年来表现亮眼。2024年季度，公司营收达到13.66亿元，同比增长78.13%。凭借技术和市场拓展的双重驱动，普冉已成为行业的重要力量，并有望在未来实现多突破。