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AP4439GM场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 13.3A 1个P沟道
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价格：面议
- 产品数量：10000.00个
- 发货地址：广东省深圳市
- 关键词：场效应管(MOSFET)
- 发布日期：2025-12-23
- 阅 读 量：46
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AP4439GM参数
| 数量 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 13.3A | 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,12A |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC | 输入电容(Ciss) | 5.08nF |
| 反向传输电容(Crss) | 375pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
